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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551

Numéro de pièce du fabricant:

MMBT5551

Fabricant:

MDD(Microdiode Semiconductor)

Emballage/Boîte:

SOT-23

Fiche technique:

MMBT5551

Description:

160V 300mW 80@1mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	MDD(Microdiode Semiconductor)
Emballage/Boîte	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	300MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	160V
DC Current Gain	80@1mA,5V
Courant de collecteur (Ic)	600mA
Tension de saturation VCE(sat)	150mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	300mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	50nA

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