orisilicon OSM45N10

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Catégorie	MOSFET
Fabricant	orisilicon
Emballage/Boîte	TO-252
Operating Temperature	-40℃~+125℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	1.02nF
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	1.2V
Charge de grille (Qg)	19nC@10V
Courant de drain continu (Id)	45A
Capacité de transfert inverse (Crss)	40pF@50V
Tension Drain-Source (Vdss)	100V
Résistance à l'état passant (RDS(on))	14mΩ@10V,20A

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