PN Junction Semiconductor P3D12010G2

Numéro de pièce du fabricant:

P3D12010G2

Fabricant:

PN Junction Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-263-2

Fiche technique:

P3D12010G2

Description:

1.2kV 33A TO-263-2 SiC Diodes ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Diodes SiC
Fabricant	PN Junction Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-263-2
Tension inverse DC (Vr)	1.2kV
Courant redressé	33A
Courant de fuite inverse (Ir)	50uA@650V

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