PJSEMI PJM65H02CNTE

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Catégorie	MOSFET
Fabricant	PJSEMI
Emballage/Boîte	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	296pF
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	9.5nC
Courant de drain continu (Id)	2A
Capacité de transfert inverse (Crss)	7pF
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	35W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	5.3Ω@10V,1A

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