Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1

Numéro de pièce du fabricant:

PNMT8N1

Fabricant:

Shanghai Prisemi Elec

Emballage/Boîte:

DFN-10-EP(2x3)

Fiche technique:

PNMT8N1

Description:

20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Shanghai Prisemi Elec
Emballage/Boîte	DFN-10-EP(2x3)
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	1.1V
Courant de drain continu (Id)	300mA
Tension Drain-Source (Vdss)	20V
Pd - Puissance dissipée	150mW
Résistance à l'état passant (RDS(on))	500mΩ@4V,300mA

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