STMicroelectronics SCT10N120

Numéro de pièce du fabricant:

SCT10N120

Fabricant:

STMicroelectronics

Emballage/Boîte:

HiP-247

Fiche technique:

SCT10N120

Description:

HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors MOSFET SiC
Fabricant	STMicroelectronics
Emballage/Boîte	HiP-247
Courant de drain continu	12A
Pd - Puissance dissipée	150W
Type de FET	1 N-channel
Tension de claquage D-S	1200V

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