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SCILICON ELECTRIC SFB096N200I3

Numéro de pièce du fabricant:

SFB096N200I3

Fabricant:

SCILICON ELECTRIC

Emballage/Boîte:

TO-263

Fiche technique:

SFB096N200I3

Description:

200V 100A 20W 8.7mΩ@10V,50A 4V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	SCILICON ELECTRIC
Emballage/Boîte	TO-263
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	5350pF@100V
Type	1 N-channel
Configuration	-
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	69nC@10V
Courant de drain continu (Id)	100A
Capacité de transfert inverse (Crss)	42pF@100V
Tension Drain-Source (Vdss)	200V
Pd - Puissance dissipée	20W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	8.7mΩ@10V,50A

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