Sichainsemi SG2M040075JJ

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors MOSFET SiC
Fabricant	Sichainsemi
Emballage/Boîte	TO-263-7L
Courant de drain continu	69A
Tension de seuil G-S	2.8V
Encapsulated Type	TO-263-7L
Pd - Puissance dissipée	312W
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Type de FET	1 N-channel
Charge totale de grille	48nC
Tension de claquage D-S	1200V
Capacité d'entrée	1540pF
Capacité de transfert inverse	6pF

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