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Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD

Numéro de pièce du fabricant:

SGM40HF12A1TFD

Fabricant:

Hangzhou Silan Microelectronics

Emballage/Boîte:

Fiche technique:

SGM40HF12A1TFD

Description:

40A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors IGBT / Modules
Fabricant	Hangzhou Silan Microelectronics
Emballage/Boîte	-
Tension seuil GE (Vge(th))	5.5V@250uA
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Cies)	6.58nF@25V
Temps de retard à l’arrêt (Td(off))	611ns
Charge de grille (Qg)	413nC@40A,±15V
Énergie à l’arrêt (Eoff)	2.2mJ
Énergie à l’enclenchement (Eon)	9.3mJ
Tension de claquage CE (Vces)	1.2kV
Temps de recouvrement inverse (Trr)	117ns
Courant de collecteur (Ic)	40A
Tension de saturation VCE(sat)	2.6V@20A,15V
Pd - Puissance dissipée	-
Temps de retard à l’allumage (Td(on))	425ns
Type d'IGBT	IGBT module
Tension directe (Vf)	2.6V@40A

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