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STMicroelectronics STGB19NC60KDT4

Numéro de pièce du fabricant:

STGB19NC60KDT4

Fabricant:

STMicroelectronics

Emballage/Boîte:

D2PAK

Fiche technique:

STGB19NC60KDT4

Description:

125W 35A 600V D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors IGBT / Modules
Fabricant	STMicroelectronics
Emballage/Boîte	D2PAK
Tension seuil GE (Vge(th))	2.75V@15V,12A
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Cies)	-
Temps de retard à l’arrêt (Td(off))	105ns
Charge de grille (Qg)	55nC
Énergie à l’arrêt (Eoff)	0.255mJ
Énergie à l’enclenchement (Eon)	0.165mJ
Tension de claquage CE (Vces)	600V
Temps de recouvrement inverse (Trr)	31ns
Courant de collecteur (Ic)	35A
Pd - Puissance dissipée	125W
Temps de retard à l’allumage (Td(on))	30ns
Type d'IGBT	-

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