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Cmos CMF10B65D
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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 单个IGBT | |
| 制造商 | Cmos | |
| 封装 | TO-220F | |
| 集电极截止-关断电流(Ices@Vce) | 10uA | |
| Pd - 功耗 | 30W | |
| Td(关断) | 108ns | |
| 集电极-发射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| Td(导通) | 11ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 脉冲电流-正向(Ifm) | 15A | |
| 反向恢复时间(trr) | 263ns | |
| 输出电容(Coes) | 45pF | |
| 输入电容(Cies) | 1.4nF | |
| 开关能量(Eoff) | 210uJ | |
| 开通能量（Eon） | 200uJ | |
| 栅极电荷(Qg) | 24nC | |
| 栅极-发射极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 6.5V |
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Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015