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Cmos CMH75N65EH5
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产品详情
| 类型 | 产品描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 分类 | 单个IGBT | |
| 制造商 | Cmos | |
| 封装 | TO-247 | |
| Pd - 功耗 | 395W | |
| Td(关断) | 211.2ns | |
| 集电极-发射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| Td(导通) | 70.4ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 45pF | |
| 脉冲电流-正向(Ifm) | 148A | |
| 反向恢复时间(trr) | 95.8ns | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 输入电容(Cies) | 5nF | |
| 开关能量(Eoff) | 1.33mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 开通能量（Eon） | 2.04mJ | |
| 栅极电荷(Qg) | 180nC@15V | |
| IGBT类型 | FS (Field Stop) | |
| 栅极-发射极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 4.3V@1.2mA |
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Certifications:
ISO 9001:2015
ISO 14001:2015