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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D

Numéro de pièce du fabricant:

3DD13003E1D

Fabricant:

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-92-3

Fiche technique:

3DD13003E1D

Description:

400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-92-3
Operating Temperature	-
Fréquence de transition (fT)	5MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	400V
DC Current Gain	15@200mA,5V
Courant de collecteur (Ic)	1.3A
Tension de saturation VCE(sat)	400mV
Type de transistor	NPN+PNP
Pd - Puissance dissipée	800mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	100uA

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