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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13009AN

Numéro de pièce du fabricant:

3DD13009AN

Fabricant:

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-3PN

Fiche technique:

3DD13009AN

Description:

400V 120W 12A NPN TO-3PN Bipolar (BJT) ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-3PN
Operating Temperature	-
Fréquence de transition (fT)	4MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	400V
Courant de collecteur (Ic)	12A
Tension de saturation VCE(sat)	450mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	120W
Courant de coupure collecteur (Icbo)	100uA

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