Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A1H

Numéro de pièce du fabricant:

CS1N60A1H

Fabricant:

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-92-3

Fiche technique:

CS1N60A1H

Description:

600V 800mA 15Ω@10V,400mA 3W 4V 1 N-channel TO-92-3 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-92-3
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Courant de drain continu (Id)	800mA
Tension Drain-Source (Vdss)	600V
Pd - Puissance dissipée	3W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	15Ω@10V,400mA

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