Taiwan Semiconductor ES1JL R2G

Numéro de pièce du fabricant:

ES1JL R2G

Fabricant:

Taiwan Semiconductor

Emballage/Boîte:

Sub-SMA

Fiche technique:

ES1JL R2G

Description:

1.7V@1A 35ns 1A 600V Sub-SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Diodes à récupération rapide / haute efficacité
Fabricant	Taiwan Semiconductor
Emballage/Boîte	Sub-SMA
Chute de tension directe (Vf)	1.7V@1A
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Tension inverse DC (Vr)	600V
Temps de recouvrement inverse (Trr)	35ns
Configuration de diode	-
Courant redressé	1A
Courant de fuite inverse (Ir)	5uA@600V

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