Taiwan Semiconductor RS1JL R3G

Numéro de pièce du fabricant:

RS1JL R3G

Fabricant:

Taiwan Semiconductor

Emballage/Boîte:

SMA

Fiche technique:

RS1JL R3G

Description:

1.3V@800mA 250ns Independent Type 800mA 600V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Diodes à récupération rapide / haute efficacité
Fabricant	Taiwan Semiconductor
Emballage/Boîte	SMA
Chute de tension directe (Vf)	1.3V@800mA
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Tension inverse DC (Vr)	600V
Temps de recouvrement inverse (Trr)	250ns
Configuration de diode	Independent Type
Courant redressé	800mA
Courant de fuite inverse (Ir)	5uA@600V

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