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SUPSiC GC2M0080120D
Numéro de pièce du fabricant:
GC2M0080120D
Fabricant:
Emballage/Boîte:
TO247-3
Fiche technique:
Description:
TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Chargement…Spécifications
| Type | Description | Sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors MOSFET SiC | |
| Fabricant | SUPSiC | |
| Emballage/Boîte | TO247-3 | |
| Courant de drain continu | 36A | |
| Tension de seuil G-S | 2.9V | |
| Encapsulated Type | - | |
| Pd - Puissance dissipée | 192W | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Configuration | - | |
| Type de FET | 1 N-channel | |
| Charge totale de grille | 71nC | |
| Tension de claquage D-S | 1200V | |
| Capacité d'entrée | 1130pF | |
| Capacité de transfert inverse | 7.5pF | |
| Résistance à l'état passant (RDS(on)) | 80mΩ@20V |
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