BORN M8050

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	BORN
Emballage/Boîte	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	150MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	25V
DC Current Gain	45@5mA,1V
Courant de collecteur (Ic)	0.8A
Tension de saturation VCE(sat)	500mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	0.2W
Courant de coupure collecteur (Icbo)	100nA

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