BORN MMBT5551

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	BORN
Emballage/Boîte	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	100MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	160V
DC Current Gain	80@1mA,5V
Courant de collecteur (Ic)	600mA
Tension de saturation VCE(sat)	200mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	300mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	50nA

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