Shanghai Prisemi Elec PNT523T503E0-2

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	Shanghai Prisemi Elec
Emballage/Boîte	SOT-523-3
Operating Temperature	-
Fréquence de transition (fT)	200MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	50V
DC Current Gain	200@1mA,6V
Courant de collecteur (Ic)	150mA
Tension de saturation VCE(sat)	80mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	150mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	100nA

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