Shanghai Prisemi Elec PT236T30E2

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	Shanghai Prisemi Elec
Emballage/Boîte	SOT-23-6
Operating Temperature	-
Fréquence de transition (fT)	-
Tension collecteur-émetteur VCEO	30V
DC Current Gain	100@2.5A,3V
Courant de collecteur (Ic)	3A
Tension de saturation VCE(sat)	500mV
Type de transistor	PNP
Pd - Puissance dissipée	1.2W
Courant de coupure collecteur (Icbo)	100nA

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