NITRIDE YHJ-65P150AMC

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Catégorie	Transistors GaN (GaN HEMT)
Fabricant	NITRIDE
Emballage/Boîte	DFN-8(8x8)
Courant de drain continu	12A
Tension de seuil G-S	-
Pd - Puissance dissipée	-
Température de fonctionnement	-
Technologie	-
Charge totale de grille	10nC
Coss - Capacité de sortie	-
Tension de claquage D-S	650V
Polarité du transistor	-
Capacité d'entrée	-
Capacité de transfert inverse	-
Résistance à l'état passant (RDS(on))	150mΩ@10V

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