NITRIDE YHJ-65P150TK

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors GaN (GaN HEMT)
Fabricant	NITRIDE
Emballage/Boîte	TO-220
Courant de drain continu	12A
Charge totale de grille	12nC
Coss - Capacité de sortie	29pF
Tension de claquage D-S	650V
Capacité d'entrée	505pF
Capacité de transfert inverse	1pF
Résistance à l'état passant (RDS(on))	150mΩ@6V

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