Shenzhen Developer Microelec. DP053N08BG

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Shenzhen Developer Microelec.
Verpackung/Case	TO-263
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3.1nF@40V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	58nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	120A
Rückübertragungskapazität (Crss)	18pF@40V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Pd - Verlustleistung	179W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	4.4mΩ@10V,120A

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