Shenzhen Developer Microelec. DP8810

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Shenzhen Developer Microelec.
Verpackung/Case	TSSOP-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	650pF@10V
Typ	2 N-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	8nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	6A
Rückübertragungskapazität (Crss)	60pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Pd - Verlustleistung	1.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	25mΩ@2.5V,5A

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