Shenzhen Developer Microelec. DP3080C

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Shenzhen Developer Microelec.
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2216pF@15V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.3V
Gate-Ladung (Qg)	48nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	80A
Rückübertragungskapazität (Crss)	225pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	75W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	3.6mΩ@10V,40A

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