Shenzhen Developer Microelec. DP3080B

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Shenzhen Developer Microelec.
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2165pF@15V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.3V
Gate-Ladung (Qg)	48nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	-
Rückübertragungskapazität (Crss)	210pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	-
Durchlasswiderstand (RDS(on))	-

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