Shenzhen Developer Microelec. DP6580

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Shenzhen Developer Microelec.
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	5101pF@32V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	77nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	85A
Rückübertragungskapazität (Crss)	292pF@32V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	65V
Pd - Verlustleistung	98W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	7.1mΩ@10V,40A

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