onsemi MBT3904DW1T1G

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	onsemi
Emballage/Boîte	SOT-363
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	300MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	40V
DC Current Gain	100@10mA,1.0V
Courant de collecteur (Ic)	200mA
Tension de saturation VCE(sat)	200mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	150mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	50nA

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