onsemi MJE15032G

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	onsemi
Emballage/Boîte	TO-220
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	30MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	250V
DC Current Gain	70@0.5A,5.0V
Courant de collecteur (Ic)	8A
Tension de saturation VCE(sat)	500mV
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	50W
Courant de coupure collecteur (Icbo)	10uA

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