onsemi MMBT2907ALT1G

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	onsemi
Emballage/Boîte	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	200MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	60V
DC Current Gain	75@0.1mA,10V
Courant de collecteur (Ic)	600mA
Tension de saturation VCE(sat)	-
Type de transistor	PNP
Pd - Puissance dissipée	225mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	10nA

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