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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE01P30K

Numéro de pièce du fabricant:

NCE01P30K

Fabricant:

Wuxi NCE Power Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-252-2

Fiche technique:

NCE01P30K

Description:

100V 30A 120W 58mΩ@10V,15A 1.5V 1 piece P-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi NCE Power Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	3810pF@50V
Type	1 piece P-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	1.5V
Charge de grille (Qg)	136nC@50V
Courant de drain continu (Id)	30A
Capacité de transfert inverse (Crss)	91pF@50V
Tension Drain-Source (Vdss)	100V
Pd - Puissance dissipée	120W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	58mΩ@10V,15A

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