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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T360F

Numéro de pièce du fabricant:

NCE65T360F

Fabricant:

Wuxi NCE Power Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-220F-3

Fiche technique:

NCE65T360F

Description:

650V 11.5A 32.6W 360mΩ@10V,7A 4V 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi NCE Power Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-220F-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	870pF@50V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	19nC@10V
Courant de drain continu (Id)	11.5A
Capacité de transfert inverse (Crss)	1.8pF
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	32.6W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	360mΩ@10V,7A

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