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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T1K2F

Numéro de pièce du fabricant:

NCE65T1K2F

Fabricant:

Wuxi NCE Power Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-220F-3

Fiche technique:

NCE65T1K2F

Description:

650V 4A 950mΩ@10V,2A 28.4W 4V 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi NCE Power Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-220F-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	304pF@50V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	12nC@10V
Courant de drain continu (Id)	4A
Capacité de transfert inverse (Crss)	0.6pF@50V
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	28.4W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	950mΩ@10V,2A

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