PN Junction Semiconductor P3M06060L8

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Catégorie	MOSFET
Fabricant	PN Junction Semiconductor
Emballage/Boîte	-
Operating Temperature	-
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2.4V
Courant de drain continu (Id)	37A
Capacité de transfert inverse (Crss)	8.3pF@400V
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	156W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	79mΩ@15V,20A

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