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PN Junction Semiconductor P3M12160K4

Numéro de pièce du fabricant:

P3M12160K4

Fabricant:

PN Junction Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-247-4L

Fiche technique:

P3M12160K4

Description:

1200V 19A 110W 192mΩ@15V,10A 2.4V 1 N-channel TO-247-4L MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	PN Junction Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-247-4L
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	1016pF@800V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2.4V
Charge de grille (Qg)	-
Courant de drain continu (Id)	19A
Capacité de transfert inverse (Crss)	3.2pF@800V
Tension Drain-Source (Vdss)	1200V
Pd - Puissance dissipée	110W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	192mΩ@15V,10A

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