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PN Junction Semiconductor P3M12017K4

Numéro de pièce du fabricant:

P3M12017K4

Fabricant:

PN Junction Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-247-4L

Fiche technique:

P3M12017K4

Description:

1200V 154A 789W 1.9V 1 N-channel TO-247-4L MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	PN Junction Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-247-4L
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	7330pF@800V
Type	1 N-channel
Configuration	-
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	1.9V
Charge de grille (Qg)	-
Courant de drain continu (Id)	154A
Capacité de transfert inverse (Crss)	21pF@800V
Tension Drain-Source (Vdss)	1200V
Pd - Puissance dissipée	789W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	-

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