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Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T

Numéro de pièce du fabricant:

SVD640T

Fabricant:

Hangzhou Silan Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-220

Fiche technique:

SVD640T

Description:

200V 18A 0.12Ω@10V,9A 150W 2V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Hangzhou Silan Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-220
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	1.108nF@25V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2V
Charge de grille (Qg)	41nC@10V
Courant de drain continu (Id)	18A
Capacité de transfert inverse (Crss)	34pF@25V
Tension Drain-Source (Vdss)	200V
Pd - Puissance dissipée	150W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	0.12Ω@10V,9A

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