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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ

Numéro de pièce du fabricant:

SVF7N65CMJ

Fabricant:

Hangzhou Silan Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-251-3

Fiche technique:

SVF7N65CMJ

Description:

650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Hangzhou Silan Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-251-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	789pF@25V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	21.2nC@10V
Courant de drain continu (Id)	7A
Capacité de transfert inverse (Crss)	9pF@25V
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	90W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	1.1Ω@10V,3.5A

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