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Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N65F

Numéro de pièce du fabricant:

SVF2N65F

Fabricant:

Hangzhou Silan Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-220F-3

Fiche technique:

SVF2N65F

Description:

650V 2A 25W 4.3Ω@10V,1A 2V 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Hangzhou Silan Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-220F-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	261.8pF@25V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2V
Charge de grille (Qg)	5.83nC@10V
Courant de drain continu (Id)	2A
Capacité de transfert inverse (Crss)	1.3pF@25V
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	25W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	4.3Ω@10V,1A

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