Shenzhen Developer Microelec. DP053N08BG

種別	製品説明	選択
カテゴリ	単体FET、MOSFET
メーカー	Shenzhen Developer Microelec.
パッケージ／ケース	TO-263
ドレイン-ソース電圧	80V
動作温度-	-55℃~+150℃
連続ドレイン電流(Id)	120A
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	2V
逆方向転送静電容量(Crss@Vds)	18pF
数	1 N-channel
出力静電容量(Coss)	640pF
RDS(on)	4.4mΩ@10V
ゲート電荷(Qg)	58nC@10V
Ciss-入力静電容量	3.1nF
Pd - 消費電力	179W

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仕様