Shenzhen Developer Microelec. DP053N08BG

種別	製品説明	選択
カテゴリ	MOSFET
メーカー	Shenzhen Developer Microelec.
パッケージ／ケース	TO-263
Operating Temperature	-55℃~+150℃
入力容量(Ciss@Vds)	3.1nF@40V
タイプ	1 N-channel
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	2V
ゲート電荷量(Qg)	58nC@10V
連続ドレイン電流(Id)	120A
逆伝達容量(Crss)	18pF@40V
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)	80V
消費電力	179W
オン抵抗(RDS(on))	4.4mΩ@10V,120A

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仕様