Shenzhen Developer Microelec. DP8810

種別	製品説明	選択
カテゴリ	MOSFET
メーカー	Shenzhen Developer Microelec.
パッケージ／ケース	TSSOP-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
入力容量(Ciss@Vds)	650pF@10V
タイプ	2 N-Channel
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	1V
ゲート電荷量(Qg)	8nC@10V
連続ドレイン電流(Id)	6A
逆伝達容量(Crss)	60pF
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)	20V
消費電力	1.5W
オン抵抗(RDS(on))	25mΩ@2.5V,5A

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仕様