Shenzhen Developer Microelec. DP3080B

種別	製品説明	選択
カテゴリ	MOSFET
メーカー	Shenzhen Developer Microelec.
パッケージ／ケース	TO-252
Operating Temperature	-
入力容量(Ciss@Vds)	2165pF@15V
タイプ	1 N-channel
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	1.3V
ゲート電荷量(Qg)	48nC@10V
連続ドレイン電流(Id)	-
逆伝達容量(Crss)	210pF@15V
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)	30V
消費電力	-
オン抵抗(RDS(on))	-

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仕様