Shenzhen Developer Microelec. DP6580

種別	製品説明	選択
カテゴリ	単体FET、MOSFET
メーカー	Shenzhen Developer Microelec.
パッケージ／ケース	TO-252
ドレイン-ソース電圧	65V
動作温度-	-55℃~+150℃
連続ドレイン電流(Id)	85A
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	3V
逆方向転送静電容量(Crss@Vds)	292pF
数	1 N-channel
RDS(on)	7.1mΩ@10V
ゲート電荷(Qg)	77nC@10V
Ciss-入力静電容量	5.101nF
Pd - 消費電力	98W

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仕様