Shenzhen Developer Microelec. DP6580

種別	製品説明	選択
カテゴリ	MOSFET
メーカー	Shenzhen Developer Microelec.
パッケージ／ケース	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
入力容量(Ciss@Vds)	5101pF@32V
タイプ	1 N-channel
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	3V
ゲート電荷量(Qg)	77nC@10V
連続ドレイン電流(Id)	85A
逆伝達容量(Crss)	292pF@32V
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)	65V
消費電力	98W
オン抵抗(RDS(on))	7.1mΩ@10V,40A

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仕様