HXY MOSFET AON7506-HXY

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	DFN-8L(3x3)
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	940pF@15V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	9.8nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	50A
Rückübertragungskapazität (Crss)	109pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	37.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	10mΩ@10V,30A

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