HXY MOSFET HXY4559S

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	SOP-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.148nF@25V
Typ	1 N-Channel + 1 P-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	20.3nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	6A
Rückübertragungskapazität (Crss)	49.4pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	2.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	85mΩ@10V,5A

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