HXY MOSFET HXY3407AI

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	650pF@15V
Typ	1 piece P-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.5V
Gate-Ladung (Qg)	7.3nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	4.1A
Rückübertragungskapazität (Crss)	95pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Pd - Verlustleistung	1.32W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	56mΩ@10V,4.1A

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