HXY MOSFET HXY2302AI

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	260pF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	5nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	3A
Rückübertragungskapazität (Crss)	27pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Pd - Verlustleistung	900mW
Durchlasswiderstand (RDS(on))	45mΩ@4.5V,3A

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