HXY MOSFET HXY5N10AI

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	182pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	3.57nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	5A
Rückübertragungskapazität (Crss)	3.6pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	3.1W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	125mΩ@10V,5A

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